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TRS12V65H,LQ(S
Silicon Carbide Schottky Diode, Single Dual Anode, 650 V, 30 A, 33 nC, DFN
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TRS12V65H,LQ(S
주문 코드4227506RL
AKATRS12V65H, TRS12V65H,LQ
기술 데이터 시트
Product Range-
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current30A
Total Capacitive Charge33nC
Diode Case StyleDFN
No. of Pins5 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
기술 사양
Product Range
-
Average Forward Current
30A
Diode Case Style
DFN
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
33nC
No. of Pins
5 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000175