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TTC015B,Q(S
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-126N, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,100 |
| 10+ | ₩898 |
| 100+ | ₩603 |
| 500+ | ₩512 |
| 1000+ | ₩444 |
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TTC015B,Q(S복사
주문 코드5130312
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current2A
Power Dissipation10W
Transistor Case StyleTO-126N
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency150MHz
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
2A
Transistor Case Style
TO-126N
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
10W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
150MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.015