페이지 인쇄
TW048N65C,S1F(S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 650 V, 0.065 ohm, TO-247
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TW048N65C,S1F(S복사
제조업체 표준 리드 타임24주
주문 코드4049753
AKATW048N65C ,TW048N65C,S1F
귀하의 부품 번호
주문 가능
제조업체 표준 리드 타임: 24주
입고 시 알림 요청
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩20,314 |
| 5+ | ₩16,678 |
| 10+ | ₩12,961 |
| 50+ | ₩12,367 |
| 100+ | ₩11,916 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩20,314
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TW048N65C,S1F(S복사
제조업체 표준 리드 타임24주
주문 코드4049753
AKATW048N65C ,TW048N65C,S1F
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation132W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
132W
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.006