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XPN12006NC,L1Q(O
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 20 A, 0.012 ohm, TSON Advance, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 10+ | ₩1,276 |
| 100+ | ₩967 |
| 500+ | ₩735 |
| 1000+ | ₩716 |
| 2500+ | ₩696 |
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호XPN12006NC,L1Q(O복사
주문 코드5130485
Product RangeU-MOSVII-H Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.012ohm
Transistor Case StyleTSON Advance
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation65W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSVII-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
TSON Advance
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSVII-H Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.015