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XPQR8308QB,LQ(O
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 350 A, 830 µohm, L-TOGL, Surface Mount
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제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호XPQR8308QB,LQ(O복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드5130495
Product RangeU-MOSX-H Series
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호XPQR8308QB,LQ(O복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드5130495
Product RangeU-MOSX-H Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id350A
Drain Source On State Resistance830µohm
Transistor Case StyleL-TOGL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation750W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSX-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
350A
Transistor Case Style
L-TOGL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
750W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
830µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSX-H Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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무게(kg):.015