페이지 인쇄
XPW4R10ANB,L1Q(O
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 70 A, 4100 µohm, DSOP Advance, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
주문 가능
여기에 관심 품목 등록
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 10+ | ₩2,436 |
| 100+ | ₩1,992 |
| 500+ | ₩1,702 |
| 1000+ | ₩1,586 |
| 2500+ | ₩1,508 |
| 5000+ | ₩1,431 |
가격기준Each
주문 최소수량: 10
주문 배수수량: 10
₩24,360
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호XPW4R10ANB,L1Q(O복사
주문 코드5130496
Product RangeU-MOSVII-H Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance4100µohm
Transistor Case StyleDSOP Advance
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation170W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSVII-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
70A
Transistor Case Style
DSOP Advance
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSVII-H Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.015