페이지 인쇄
XSM6J372NW,LXHF(A
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, WFDFN2020B, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호XSM6J372NW,LXHF(A복사
제조업체 표준 리드 타임16주
주문 코드
리릴링4733278RL
컷 테이프4733278
Product RangeU-MOSVI Series
귀하의 부품 번호
주문 가능
입고 시 알림 요청
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩1,175 | ₩1,175 |
| 총계 가격 | ₩1,175 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,175 |
| 10+ | ₩628 |
| 100+ | ₩533 |
| 500+ | ₩445 |
| 1000+ | ₩408 |
| 5000+ | ₩380 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호XSM6J372NW,LXHF(A복사
제조업체 표준 리드 타임16주
주문 코드
리릴링4733278RL
컷 테이프4733278
Product RangeU-MOSVI Series
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.042ohm
Transistor Case StyleWFDFN2020B
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation1.51W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSVI Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
WFDFN2020B
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.51W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.042ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
6Pins
Product Range
U-MOSVI Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001