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XSM6K361NW,LXHF(A
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, WFDFN2020B, Surface Mount
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제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호XSM6K361NW,LXHF(A복사
제조업체 표준 리드 타임16주
주문 코드
리릴링4860687RL
컷 테이프4860687
Product RangeU-MOSVIII-H Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩1,383 | ₩1,383 |
| 총계 가격 | ₩1,383 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,383 |
| 10+ | ₩740 |
| 100+ | ₩628 |
| 500+ | ₩524 |
| 1000+ | ₩480 |
| 5000+ | ₩448 |
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호XSM6K361NW,LXHF(A복사
제조업체 표준 리드 타임16주
주문 코드
리릴링4860687RL
컷 테이프4860687
Product RangeU-MOSVIII-H Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source On State Resistance0.069ohm
Transistor Case StyleWFDFN2020B
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.84W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSVIII-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
Transistor Case Style
WFDFN2020B
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.84W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.069ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
U-MOSVIII-H Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0015