페이지 인쇄
TP65H480G4JSGB-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 3.6 A, 0.56 ohm, 5 nC, PQFN, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체RENESAS
제조업체 부품 번호TP65H480G4JSGB-TR
주문 코드4371981
Product RangeSuperGaN Series
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id3.6A
Drain Source On State Resistance0.56ohm
Typical Gate Charge5nC
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.56ohm
Transistor Case Style
PQFN
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
3.6A
Typical Gate Charge
5nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):1.12