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UF3SC120009K4S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247
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|---|---|
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| 50+ | ₩106,520 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호UF3SC120009K4S
주문 코드4014251
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0086ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max4.7V
Power Dissipation789W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
0.0086ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
789W
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0063