페이지 인쇄
BPW85A
Phototransistor, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pins, T-1 (3mm)
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
주문 가능
제조업체 표준 리드 타임: 13주
입고 시 알림 요청
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩973 |
| 10+ | ₩610 |
| 100+ | ₩474 |
| 500+ | ₩403 |
| 1000+ | ₩379 |
가격기준Each
주문 최소수량: 5
주문 배수수량: 5
₩4,865
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호BPW85A
주문 코드1612661
기술 데이터 시트
Wavelength Typ850nm
Viewing Angle25°
Power Consumption100mW
No. of Pins2Pins
Transistor Case StyleT-1 (3mm)
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
제품 개요
- Leaded silicon NPN phototransistor in clear, T-1 plastic package
- High photo sensitivity and high radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Angle of half sensitivity: ϕ = ± 25°
- 2.5mA maximum collector light current at Ee = 1 mW/cm2, λ = 950nm, VCE = 5V
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Wavelength Typ
850nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
T-1 (3mm)
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Viewing Angle
25°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000145