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IRF520PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,112 |
| 10+ | ₩972 |
| 100+ | ₩900 |
| 500+ | ₩860 |
| 1000+ | ₩724 |
| 5000+ | ₩588 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRF520PBF
주문 코드8648239
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id9.2A
Drain Source On State Resistance0.27ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
The IRF520PBF is a 100V N-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The low thermal resistance contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dv/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
- ±20V Gate to source voltage
- 2.5°C/W Thermal resistance, junction to case
- 62°C/W Thermal resistance, junction to ambient
애플리케이션
Industrial, Commercial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.2A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.27ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002