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IRF540SPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | ₩2,505 |
| 10+ | ₩1,794 |
| 100+ | ₩1,749 |
| 500+ | ₩1,704 |
| 1000+ | ₩1,376 |
| 5000+ | ₩1,349 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRF540SPBF
주문 코드1013379
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.077ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
The IRF540SPBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The D2PAK is a surface-mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability in any existing surface-mount package. The D2PAK is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- -55 to 175°C Operating temperature range
- Ease of paralleling
- Halogen-free
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.077ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00144