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IRF620PBF-BE3
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,808 |
| 10+ | ₩1,345 |
| 100+ | ₩1,202 |
| 500+ | ₩951 |
| 1000+ | ₩932 |
| 5000+ | ₩913 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRF620PBF-BE3복사
제조업체 표준 리드 타임35주
주문 코드4853569
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.8ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.015