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IRF730APBF
Power MOSFET, N Channel, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,741 |
| 10+ | ₩1,823 |
| 100+ | ₩1,674 |
| 500+ | ₩1,601 |
| 1000+ | ₩1,198 |
| 5000+ | ₩1,146 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRF730APBF
주문 코드8648433
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds400V
Continuous Drain Current Id5.5A
Drain Source On State Resistance1ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation74W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
The IRF730APBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with low gate charge.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
- Effective COSS specified
- Simple drive requirements
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.5A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
74W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
400V
Drain Source On State Resistance
1ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002