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IRF740BPBF
Power MOSFET, N Channel, 400 V, 10 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩1,918 |
| 10+ | ₩1,472 |
| 100+ | ₩1,237 |
| 500+ | ₩1,060 |
| 1000+ | ₩944 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRF740BPBF
주문 코드2646348
Product RangeD
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds400V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.5ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation147W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeD
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (19-Jan-2021)
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제품 개요
D series power MOSFET designed to use at consumer electronics, server and telecom power supplies, industrial (welding, induction heating, motor drives) and battery chargers.
- Low area specific on-resistance
- Low input capacitance (Ciss)
- Reduced capacitive switching losses
- High body diode ruggedness
- Avalanche energy rated (UIS)
- Optimal efficiency and operation
- Simple gate drive circuitry
- Low cost and fast switching
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
147W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (19-Jan-2021)
Drain Source Voltage Vds
400V
Drain Source On State Resistance
0.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
D
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (19-Jan-2021)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001