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IRF840APBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩3,230 |
| 10+ | ₩1,926 |
| 100+ | ₩1,897 |
| 500+ | ₩1,808 |
| 1000+ | ₩1,801 |
| 5000+ | ₩1,794 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRF840APBF
주문 코드8648557
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.85ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
The IRF840APBF is a N-channel Power MOSFET with low gate charge and improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness.
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
- Effective Coss specified
- ±30V Gate-source voltage
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002