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IRF9530SPBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩5,155 |
| 10+ | ₩2,736 |
| 100+ | ₩2,348 |
| 500+ | ₩1,901 |
| 1000+ | ₩1,743 |
| 5000+ | ₩1,709 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRF9530SPBF복사
제조업체 표준 리드 타임47주
주문 코드1298491
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation88W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
제품 개요
The IRF9530SPBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The D2PAK is a surface-mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability in any existing surface-mount package. The D2PAK is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- -55 to 175°C Operating temperature range
- Surface-mount
- Halogen-free
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
88W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00143