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IRF9610PBF-BE3
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 1.8 A, 3 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,465 |
| 10+ | ₩1,031 |
| 100+ | ₩795 |
| 500+ | ₩637 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRF9610PBF-BE3복사
주문 코드4853582
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id1.8A
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation20W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.8A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
20W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.015