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IRFB11N50APBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220AB, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩4,331 |
| 10+ | ₩2,248 |
| 100+ | ₩1,859 |
| 500+ | ₩1,694 |
| 1000+ | ₩1,679 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRFB11N50APBF
주문 코드8648700
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.52ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
Power MOSFET suitable for use in switch mode power supply (SMPS), uninterruptible power supply and high speed power switching. Applicable for line SMPS tropologies are two transistor forward, half and full bridge and power factor correction boost.
- Low gate charge Qi results in simple drive requirement
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dot ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.52ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002041