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IRFD210PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 600 mA, 1.5 ohm, DIP, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRFD210PBF복사
주문 코드9102370
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id600mA
Drain Source On State Resistance1.5ohm
Transistor Case StyleDIP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
제품 개요
The IRFD210PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
- Dynamic dV/dt rating
- For automatic insertion
- End stackable
- Repetitive avalanche rated
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
600mA
Transistor Case Style
DIP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000581