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IRFI740GPBF
Power MOSFET, N Channel, 400 V, 5.4 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,882 |
| 10+ | ₩1,941 |
| 100+ | ₩1,857 |
| 500+ | ₩1,815 |
| 1000+ | ₩1,787 |
| 5000+ | ₩1,752 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRFI740GPBF
주문 코드8648999
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds400V
Continuous Drain Current Id5.4A
Drain Source On State Resistance0.55ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation40W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
- N-channel power MOSFET in TO-220 FULLPAK package
- Isolated package
- High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz)
- Sink to lead creepage distance = 4.8mm
- Dynamic dV/dt rating
- Low thermal resistance
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.4A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
400V
Drain Source On State Resistance
0.55ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.007257