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IRFI9530GPBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 7.7 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩4,578 |
| 10+ | ₩2,909 |
| 100+ | ₩2,045 |
| 500+ | ₩1,973 |
| 1000+ | ₩1,934 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRFI9530GPBF복사
제조업체 표준 리드 타임28주
주문 코드8649030
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id7.7A
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation38W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
제품 개요
- P-channel power MOSFET in TO-220 FULLPAK package
- Isolated package
- High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz)
- Sink to lead creepage distance = 4.8mm
- 175°C operating temperature
- Dynamic dV/dt rating
- Low thermal resistance
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.7A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002