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IRFL9110PBF..
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Surface Mount
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRFL9110PBF..복사
주문 코드8649219
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation3.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The IRFL9110PBF is a -100V P-channel Power MOSFET designed for fast switching, rugged device design and low on-resistance. The SOT-223 package is designed for surface-mount using vapour phase, infra-red or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of greater than 1.25W is possible in a typical surface mount application.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- 150°C Operating temperature
- Easy to parallel
- Fast switching
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0002