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IRFP264PBF
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Through Hole
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|---|---|
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| 10+ | ₩8,525 |
| 100+ | ₩7,155 |
| 500+ | ₩6,068 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRFP264PBF복사
제조업체 표준 리드 타임24주
주문 코드8649308
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation280W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
제품 개요
The IRFP264PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package provides greater creepage distances between pins to meet the requirements of most safety specifications.
- Dynamic dV/dt rating
- Ease of paralleling
- Repetitive avalanche rated
- Isolated central mounting hole
- Simple drive requirements
애플리케이션
Industrial, Power Management, Commercial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
38A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
280W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.006