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IRFP31N50LPBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 31 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRFP31N50LPBF복사
주문 코드8658528
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation460W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (19-Jan-2021)
IRFP31N50LPBF의 대체 제품
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제품 개요
The IRFP31N50LPBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with lower gate charge.
- Superfast body diode eliminates the need for external diodes
- Simple drive requirements
- Enhanced dV/dt capabilities offer improved ruggedness
- Higher gate voltage threshold offers improved noise immunity
애플리케이션
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Motor Drive & Control
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
460W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (19-Jan-2021)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (19-Jan-2021)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.006