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IRL510PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,174 |
| 10+ | ₩2,128 |
| 100+ | ₩1,600 |
| 500+ | ₩1,269 |
| 1000+ | ₩1,028 |
| 5000+ | ₩968 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRL510PBF복사
제조업체 표준 리드 타임58주
주문 코드9102779
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id5.6A
Drain Source On State Resistance0.54ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation43W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
제품 개요
Third generation power MOSFET provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
- Dynamic dV/dot rating
- Repetitive avalanche rated
- Logic-level gate drive
- 175°C operating temperature
- Fast switching
- Ease of paralleling
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.6A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
43W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.54ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002