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IRL530PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩4,103 |
| 10+ | ₩2,612 |
| 100+ | ₩1,768 |
| 500+ | ₩1,455 |
| 1000+ | ₩1,203 |
| 5000+ | ₩1,156 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRL530PBF복사
제조업체 표준 리드 타임17주
주문 코드9102752
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation79W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (19-Jan-2021)
IRL530PBF의 대체 제품
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제품 개요
The IRL530PBF is a 100V N-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The low thermal resistance contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dv/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Logic-level gate drive
- Fast switching
- Ease of paralleling
- ±10V Gate to source voltage
- 1.7°C/W Thermal resistance, junction to case
- 62°C/W Thermal resistance, junction to ambient
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
79W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (19-Jan-2021)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (19-Jan-2021)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002