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IRLD024PBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRLD024PBF복사
주문 코드9102523
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleDIP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation1W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
IRLD024PBF의 대체 제품
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제품 개요
The IRLD024PBF is a 60V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a low cost machine-insertiable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain servers as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- 175°C Operating temperature
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
- For automatic insertion
- End stackable
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
DIP
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00059