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IRLD110PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRLD110PBF복사
주문 코드1013423
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor Case StyleDIP
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Qualification-
IRLD110PBF의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
- N-channel power MOSFET in HVMDIP package
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- For automatic insertion
- End stackable
- Logic-level gate drive
- 175°C operating temperature
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Transistor Mounting
Through Hole
Qualification
-
Transistor Case Style
DIP
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000565