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MXPQ120A080SL-GE3
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 31 A, 1.2 kV, 0.1 ohm, TO-247AD
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩13,550 |
| 5+ | ₩11,817 |
| 10+ | ₩10,044 |
| 50+ | ₩9,473 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호MXPQ120A080SL-GE3
주문 코드4899037
Product RangeMaxSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation174W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeMaxSiC Series
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
31A
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247AD
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
174W
Product Range
MaxSiC Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.005