페이지 인쇄
SI1029X-T1-E3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 500 mA, 500 mA, 1.4 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI1029X-T1-E3
주문 코드1470092RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
On Resistance Rds(on)1.4ohm
Continuous Drain Current Id N Channel500mA
Continuous Drain Current Id P Channel500mA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSC-89
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd250mW
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel250mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SI1029X-T1-E3의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
기술 사양
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
500mA
On Resistance Rds(on)
1.4ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
500mA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
250mW
Power Dissipation P Channel
250mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
500mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
SC-89
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
관련 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001