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SI1967DH-T1-E3
Dual MOSFET, Dual P Channel, 20 V, 1.3 A
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI1967DH-T1-E3복사
제조업체 표준 리드 타임23주
주문 코드
리릴링4853734RL
컷 테이프4853734
Product RangeTrenchFET Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,095 | ₩5,475 |
| 총계 가격 | ₩5,475 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,095 |
| 10+ | ₩675 |
| 100+ | ₩435 |
| 500+ | ₩330 |
| 1000+ | ₩253 |
| 5000+ | ₩242 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI1967DH-T1-E3복사
제조업체 표준 리드 타임23주
주문 코드
리릴링4853734RL
컷 테이프4853734
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeDual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.64ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.64ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.015