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SI2301CDS-T1-E3
MOSFET, P CH, -20V, -3.1A, SOT-23
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩819 |
| 10+ | ₩542 |
| 100+ | ₩370 |
| 500+ | ₩302 |
| 1000+ | ₩173 |
| 5000+ | ₩168 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2301CDS-T1-E3
주문 코드2335284
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
Si2301CDS-T1-E3 is a P-channel 20V (D-S) MOSFET. The applications include a load switch.
- TrenchFET® Power MOSFET
- Drain-source breakdown voltage is -20V min (VGS = 0V, ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from -0.4 to 1V (VDS = VGS, ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Continuous drain current is - 3.1A (TJ = 150 °C, TC = 25°C)
- Pulsed drain current is -10A (TA = 25°C)
- Continuous source-drain diode current is -1.3A (TC = 25°C, TA = 25°C)
- Maximum power dissipation is 1.6W (TC = 25°C, TA = 25°C)
- VDS temperature coefficient is -18mV/°C typ (ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 9.5S typ (VDS = - 5V, ID = - 2.8A, TJ = 25°C)
- SOT-23 package, operating junction temperature range from -55 to 150°C
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
SI2301CDS-T1-E3의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00005