페이지 인쇄
SI2301CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2301CDS-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
풀릴3879329
리릴링1779260RL
컷 테이프1779260
귀하의 부품 번호
4,995 재고
더 필요하세요?
4,995 1-2 영업일 이내 배송(싱가폴 재고)
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩863 | ₩4,315 |
| 총계 가격 | ₩4,315 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩863 |
| 50+ | ₩709 |
| 100+ | ₩554 |
| 500+ | ₩378 |
| 1500+ | ₩371 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩245 |
| 9000+ | ₩216 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2301CDS-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
풀릴3879329
리릴링1779260RL
컷 테이프1779260
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source On State Resistance0.112ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
The SI2301CDS-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.112ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
SI2301CDS-T1-GE3의 대체 제품
4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000109