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SI2304DDS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2304DDS-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
풀릴3879338
리릴링1858939RL
컷 테이프1858939
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제조업체 표준 리드 타임: 56주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩693 | ₩3,465 |
| 총계 가격 | ₩3,465 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩693 |
| 50+ | ₩568 |
| 100+ | ₩443 |
| 500+ | ₩298 |
| 1500+ | ₩293 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩190 |
| 9000+ | ₩165 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2304DDS-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
풀릴3879338
리릴링1858939RL
컷 테이프1858939
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.6A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation1.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
- 30V, 3.6A N-channel TrenchFET® power MOSFET in 3 pin TO-236 package
- 100 % Rg tested
- Suitable for DC/DC converter application
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
SI2304DDS-T1-GE3의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00005