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SI3443CDV-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.97 A, 0.06 ohm, TSOP, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩560 | ₩2,800 |
| 총계 가격 | ₩2,800 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩560 |
| 50+ | ₩528 |
| 100+ | ₩495 |
| 500+ | ₩378 |
| 1500+ | ₩371 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI3443CDV-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링1779261RL
컷 테이프1779261
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.97A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation3.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
The SI3443CDV-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for HDD, asynchronous rectification and load switch applications.
- PWM optimized
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management, Portable Devices
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.97A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
3.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
SI3443CDV-T1-GE3의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000047