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SI3456DDV-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 6.3 A, 0.04 ohm, TSOP, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩382 | ₩1,910 |
| 총계 가격 | ₩1,910 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩382 |
| 50+ | ₩359 |
| 100+ | ₩336 |
| 500+ | ₩252 |
| 1500+ | ₩247 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI3456DDV-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임4주
주문 코드
리릴링1840419RL
컷 테이프1840419
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6.3A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
The SI3456DDV-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, HDD and DC-to-DC converter applications.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.3A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000048