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SI3552DV-T1-E3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,158 |
| 50+ | ₩961 |
| 100+ | ₩763 |
| 500+ | ₩537 |
| 1500+ | ₩527 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI3552DV-T1-E3
주문 코드2646377
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel2.5A
Continuous Drain Current Id P Channel2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.085ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.085ohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.15W
Power Dissipation P Channel1.15W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.085ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.15W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.085ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
1.15W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000129