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SI4204DY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 19.8 A, 19.8 A, 3800 µohm
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩4,413 |
| 10+ | ₩2,853 |
| 100+ | ₩1,955 |
| 500+ | ₩1,574 |
| 1000+ | ₩1,529 |
| 5000+ | ₩1,484 |
가격기준Each
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI4204DY-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임23주
주문 코드2335306
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel19.8A
Continuous Drain Current Id P Channel19.8A
Drain Source On State Resistance N Channel3800µohm
Drain Source On State Resistance P Channel3800µohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.25W
Power Dissipation P Channel3.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
제품 개요
The SI4204DY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for DC-to-DC converter, fixed telecom and notebook PC applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
19.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
3800µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.25W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
19.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
3800µohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004536