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SI4425FDY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 18.3 A, 9500 µohm, SOIC, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI4425FDY-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임25주
주문 코드
리릴링3253826RL
컷 테이프3253826
Product RangeTrenchFET Gen IV
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8 재고
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,212 | ₩6,060 |
| 총계 가격 | ₩6,060 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,212 |
| 50+ | ₩1,005 |
| 100+ | ₩798 |
| 500+ | ₩620 |
| 1000+ | ₩561 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI4425FDY-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임25주
주문 코드
리릴링3253826RL
컷 테이프3253826
Product RangeTrenchFET Gen IV
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id18.3A
Drain Source On State Resistance9500µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation4.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
18.3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
9500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000163