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SI4816BDY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0155 ohm
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| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩3,988 | ₩3,988 |
| 총계 가격 | ₩3,988 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,988 |
| 10+ | ₩2,506 |
| 100+ | ₩1,750 |
| 500+ | ₩1,400 |
| 1000+ | ₩1,348 |
| 5000+ | ₩1,295 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI4816BDY-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링2101479RL
컷 테이프2101479
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel5.8A
Continuous Drain Current Id P Channel5.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0155ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0155ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.25W
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
The SI4816BDY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with Schottky diode housed in a surface-mount package.
- Halogen-free
- LITTLE FOOT® Plus power MOSFET
- 100% Rg tested
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0155ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0155ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000301