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SI4925DDY-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 8 A
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,441 |
| 50+ | ₩1,211 |
| 100+ | ₩980 |
| 500+ | ₩775 |
| 1000+ | ₩700 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI4925DDY-T1-GE3
주문 코드1779276
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.024ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The SI4925DDY-T1-GE3 is a -30V Dual P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for load switches, notebook PCs, desktop PCs and game station applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% UIS Tested
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.024ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
5W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0002