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SI4943CDY-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0275 ohm
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|---|---|
| 1+ | ₩3,758 |
| 10+ | ₩2,419 |
| 100+ | ₩1,656 |
| 500+ | ₩1,323 |
| 1000+ | ₩1,297 |
| 5000+ | ₩1,270 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI4943CDY-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드2335324
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0275ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0275ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
The SI4943CDY-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load switching game systems and 2-cell Li-ion battery switching applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
애플리케이션
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0275ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0275ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004536