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SI4948BEY-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 60 V, 2.4 A
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩3,439 | ₩3,439 |
| 총계 가격 | ₩3,439 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,439 |
| 10+ | ₩1,663 |
| 100+ | ₩1,474 |
| 500+ | ₩1,166 |
| 1000+ | ₩956 |
| 5000+ | ₩898 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI4948BEY-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임70주
주문 코드
리릴링1779277RL
컷 테이프1779277
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel2.4A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.1ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
The SI4948BEY-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
애플리케이션
Industrial, Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.1ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000127