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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI5479DU-T1-E3복사
주문 코드1497621
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Transistor Case StylePowerPAK ChipFET
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage1.8V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation17.8mW
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Transistor Case Style
PowerPAK ChipFET
Rds(on) Test Voltage
1.8V
Power Dissipation
17.8mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0002
