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SI5504DC-T1-E3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.072 ohm
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더 이상 제조되지 않음
포장 옵션
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI5504DC-T1-E3복사
주문 코드
리릴링1470126RL
컷 테이프1470126
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel3.9A
Continuous Drain Current Id P Channel3.9A
Transistor Case Style1206
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.1W
Power Dissipation P Channel1.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.9A
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.1W
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.9A
Transistor Case Style
1206
Power Dissipation N Channel
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001