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SI6435ADQ-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, TSSOP, Surface Mount
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더 이상 제조되지 않음
포장 옵션
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI6435ADQ-T1-E3복사
주문 코드
리릴링1470129RL
컷 테이프1470129
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5.5A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTSSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
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제품 개요
The SI6435ADQ-T1-E3 is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.5A
Transistor Case Style
TSSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000208