페이지 인쇄
SI6562CDQ-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
10,765 재고
3,000 지금 제품을 예약하실 수 있습니다
10,765 8-9 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,765 |
| 10+ | ₩1,307 |
| 100+ | ₩1,165 |
| 500+ | ₩1,084 |
| 1000+ | ₩1,002 |
| 5000+ | ₩920 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩2,765
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI6562CDQ-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임58주
주문 코드2335341
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel6.7A
Continuous Drain Current Id P Channel6.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.18ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.18ohm
Transistor Case StyleTSSOP
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
The SI6562CDQ-T1-GE3 is a N/P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.
- TrenchFET® power MOSFET
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.18ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.18ohm
Transistor Case Style
TSSOP
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000092