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SI7113DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 13.2 A, 0.134 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI7113DN-T1-GE3복사
주문 코드2335351
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id13.2A
Drain Source On State Resistance0.134ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
- P-channel 100V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- Low thermal resistance PowerPAK® package with Low 1.07mm profile
- UIS and Rg tested
- Suitable for active clamp in intermediate DC/DC power supplies
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
13.2A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.134ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000069